|
Физические основы электроники |
||
|
Содержание |
||
1 Основы теории электропроводности полупроводников.
1.1. Общие сведения о полупроводниках.
1.1.1. Полупроводники с собственной проводимостью. 1.2. Токи в полупроводниках.
1.1.2. Полупроводники с электронной проводимостью.
1.1.3. Полупроводники с дырочной проводимостью.
1.2.1. Дрейфовый ток. 1.3. Контактные явления.
1.2.2. Диффузионный ток.1.3.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия 1.4. Разновидности p-n переходов.
1.3.2. Прямое включение p-n перехода.
1.3.3. Обратное включение p-n перехода.
1.3.4. Теоретическая характеристика p-n перехода.
1.3.5. Реальная характеристика p-n перехода.
1.3.6. Ёмкости p-n перехода.1.4.1. Гетеропереходы.
1.4.2. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
1.4.3. Контакт металла с полупроводником.
1.4.4. Омические контакты.
1.4.5. Явления на поверхности полупроводника.2.1. Классификация.
2.2. Выпрямительные диоды.
2.3. Стабилитроны и стабисторы.
2.4. Универсальные и импульсные диоды.
2.5. Варикапы.3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
3.1.1. Общие сведения. 3.2. Статические характеристики биполярных транзисторов.
3.1.2. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.3.2.1. Схема с общей базой. 3.3. Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
3.2.2. Схема с общим эмиттером.
3.2.3. Влияние температуры на статические характеристики БТ.
3.4. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
3.5. Частотные свойства биполярного транзистора.
3.6. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов.
3.7. Работа транзистора в усилительном режиме.
3.8. Особенности работы транзистора в импульсном режиме.3.8.1. Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды.
3.8.2. Работа транзистора в режиме переключения.
3.8.3. Переходные процессы при переключении транзистора.4.1. Полевой транзистор с p-n переходом.
4.2. Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор).